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NE434S01-T1B

  • 制造商:-
  • 汲极/源极击穿电压:4 V
  • 闸/源击穿电压:- 3 V
  • 漏极连续电流:80 mA
  • 安装风格:SMD/SMT
产品属性
描述MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET封装 / 箱体SO-1
封装Reel正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.085 S
功率耗散300 mW工厂包装数量4000

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