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  • NE5230DR2G

NE5230DR2G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.8
  • 25$1.584
  • 100$1.392
  • 250$1.248
  • 500$1.152
描述IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC电路数1
输出类型满摆幅转换速率0.25 V/?s
增益带宽积600kHz-3db带宽-
电流 - 输入偏压40nA电压 - 输入偏移400?V
电流 - 电源1.1mA电流 - 输出 / 通道32mA
电压 - 电源,单路/双路(±)1.8 V ~ 15 V,±0.9 V ~ 7.5 V工作温度0°C ~ 70°C
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN包装剪切带 (CT)
其它名称NE5230DR2GOSCT

“NE5230DR2G”技术资料

  • NE5230DR2G的技术参数

    产品型号:ne5230dr2g工作电压min.(v):1.800工作电压max.(v):15带宽gbw(典型值)(mhz):0.250转换速率(典型值)(v/us):0.090输入失调电压(25℃,max.)(mv):0.400输入偏置电流(max.)(na):50最大工作电流id(ma):0.110共模抑制比(min.)(db):85噪声电压(典型值)(nv/rthz):30通道数:1电源供电方式:单/双封装/温度(℃):soic-8/0~70描述:低电压运算放大器价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...

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