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NE650103M

  • 制造商:-
  • 技术类型:MESFET
  • 频率:2.3 GHz
  • 增益:11 dB
  • 漏源电压 VDS:15 V
产品属性
描述射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A闸/源击穿电压- 18 V
漏极连续电流7 A最大工作温度+ 175 C
功率耗散33 W安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体3MP1dB40 dBm
工厂包装数量10

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