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  • NE651R479A-EVPW26

NE651R479A-EVPW26

  • 制造商:CEL(CEL,CEL)
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:1.9 GHz
  • 增益:12 dB
产品属性关于CEL(CEL,CEL)
描述射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz漏源电压 VDS8 V
闸/源击穿电压- 4 V漏极连续电流1 A
最大工作温度+ 125 C功率耗散2.5 W
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体79A
P1dB27 dBm

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