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  • NE722S01-T1B

NE722S01-T1B

  • 制造商:CEL(CEL,CEL)
  • 技术类型:MESFET
  • 频率:4 GHz
  • 增益:12 dB
  • 噪声系数:0.9 dB
产品属性关于CEL(CEL,CEL)
描述射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET正向跨导 gFS(最大值/最小值)45 mS
漏源电压 VDS5 V闸/源击穿电压- 5 V
漏极连续电流120 mA最大工作温度+ 125 C
功率耗散250 mW安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-1P1dB15 dBm
封装Reel工厂包装数量4000

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