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NE8500295-8

  • 制造商:-
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:MESFET
  • 频率:7.5 GHz to 8.5 GHz
  • 增益:8 dB
产品属性
描述射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET正向跨导 gFS(最大值/最小值)600 mS
漏源电压 VDS15 V闸/源击穿电压- 12 V
漏极连续电流1.9 A最大工作温度+ 175 C
功率耗散13 W安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体CHIPP1dB33.8 dBm
封装Bulk

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