| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | 7GHz | 噪声系数（dB典型值@频率） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB | 功率 - 最大 | 200mW |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 20mA，10V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NE85633-T1B-R25-A-NDNE85633-T1B-R25-ATR |
