| 描述 | TRANS NPN 900MHZ SOT-89 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 9.2V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | 10GHz | 噪声系数（dB典型值@频率） | - |
| 增益 | 23dB | 功率 - 最大 | 1.5W |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 100mA，3V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商设备封装 | SOT-89 | 包装 | 散装 |
【CEL】NESG250134-EV09-AZ,射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor
【CEL】NESG250134-EVPW04,射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor
【CEL】NESG260234-EV09,射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor
【CEL】NESG260234-EVPW04,射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor
【CEL】NESG260234-EVPW04-A,射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Power Transistor Eval Board