| 描述 | DISCRETE RF DIODE | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 4.3V | 频率 - 转换 | 5.8GHz |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz | 增益 | 14dB ~ 21dB |
| 功率 - 最大 | 125mW | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 5mA，2V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 30mA | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | M04 |
| 包装 | 散装 |
