描述 | EMI/RFI 抑制器及铁氧体 9.0GHz 100volts |
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时必须格外小心,因为如果接地层阻抗过高,被丢弃的高频成分就可能在接地层产生电势差,进而形成新的噪声辐射源。从这个意义上说,这些滤波器只能用于接地层阻抗非常低的情况。问题正如murata manufacturing公司所指出的:“许多情况下,在手机等小型设备中不太可能有足够大面积的接地层。事实上,人们在开发这些设备的过程中发现,确实存在尽管插入了emi滤波器但电磁噪声辐射却没有降低的情况。” 图1: 插入损失的频率特性 两款器件对应不同谐振频率的插入损失特性。例如,nfa2asn907aa4l的插入损失在942.5mhz达到最小值22db,在1.8425ghz达到最小值18db。 利用lc谐振电路捕获噪声 为了攻克这个难题,murata manufacturing有限公司开发了不需要连接到接地层的nfa2asn系列emi滤波器。这种滤波器由电感(l)和电容(c)并联组成,通过“诱捕”来消除不需要的频率成分(图1)。每一组由两个谐振电路串连而成,每个电路的lc特征值不同,换句话说,就是有两个不同的“陷阱”(图2)。 这些滤波器的目标应用是降低手机翻盖连接处柔性印制电路板(fp ...
【Murata】NFA31CC101S1E4D,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 1206 100pF 20% 25v DC25 volt
【Murata】NFA31CC220S1E4D,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 1206 22pF +/-20% 25v DC25 volt
【Murata】NFA31CC221S1E4D,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 1206 220pF 20% 25v DC25 volt
【Murata】NFA31CC470S1E4D,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 1206 47pF +/-20% 25v DC25 volt
【Murata】NFA31CC471R1E4D,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 470PF 200 OHM 25V FI