| 描述 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 390V |
|---|---|---|---|
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 1.9V @ 4.5V，20A | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 20A |
| 功率 - 最大 | 150W | 输入类型 | 逻辑 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK | 包装 | 管件 |
【ON Semiconductor】NGB8206NG,IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK
【ON Semiconductor】NGB8206NSL3G,马达/运动/点火控制器和驱动器 IGBT D2PAK 350V 20A
【ON Semiconductor】NGB8206NT4G,马达/运动/点火控制器和驱动器 20A 350V Ignition N-Channel
【ON Semiconductor】NGB8206NTF4,IGBT IGNIT NCHAN 20A 400V D2PAK3
【ON Semiconductor】NGB8206NTF4G,马达/运动/点火控制器和驱动器 IGBT D2PAK 350V 20A
【ON Semiconductor】NGB8207ABNT4G,IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3
【ON Semiconductor】NGB8207ANT4G,IGBT IGNIT N-CH 350V 20A D2PAK-3