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NGB8207BNT4G

制造商：ON Semiconductor(ON Semiconductor,ON Semiconductor)
标准包装：800
类别：分离式半导体产品
家庭：IGBT - 单路
系列：-
IGBT 类型：-

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无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

数量单价
800$1.343
1600$1.2325
2400$1.1475
5600$1.105
20000$1.0625

产品属性关于ON Semiconductor(ON Semiconductor,ON Semiconductor)

描述	IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	365V
Vge, Ic时的最大Vce（开）	1.8V @ 4.5V，10A	电流 - 集电极 (Ic)（最大）	20A
功率 - 最大	165W	输入类型	逻辑
安装类型	表面贴装	封装/外壳	TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装	D2PAK	包装	带卷 (TR)
其它名称	NGB8207BNT4GOSTR

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