| 描述 | MOSFET NFET S08D 30V .050R | 漏极连续电流 | 6.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.05 Ohms | 配置 | Dual |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 56.5 ns, 2.7 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 19.8 S | 功率耗散 | 1.3 W |
| 上升时间 | 56.5 ns, 2.7 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 35.9 ns, 66.5 ns |
产品型号:nimd6302r2源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):50最大漏极电流id(on)(a):－通道极性:n沟道封装/温度(℃):so8/-55~175描述:双n沟道mosfet价格/1片(套):￥21.00 来源:xiangxueqin ...
