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  • NIS5112D2R2G

NIS5112D2R2G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$1.6093
  • 5000$1.5488
  • 12500$1.5004
  • 25000$1.452
描述IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC检测方法-
精确度-输入电压9 V ~ 18 V
电流 - 输出2A工作温度-40°C ~ 175°C
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
其它名称NIS5112D2R2G-NDNIS5112D2R2GOSTR

“NIS5112D2R2G”技术资料

  • NIS5112D2R2G的技术参数

    产品型号:nis5112d2r2g输入电压min(v):-0.300输入电压max(v):18导通电阻典型(mω):23.500平均电流id avg(a):5.300热操作:自动重试封装/温度(℃):soic-8/-40~175描述:电子保险丝价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...

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