您的位置:维库电子商城 > 集成电路 (IC) > PMIC - O 圈控制器 > nis6111qpt1g

NIS6111QPT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述DIODE ORING FET 24V 30A 32-LLPFET 型N 沟道
输出数1内部开关
延迟时间 - 开启45ns延迟时间 - 关闭35ns
电源电压4.8 V ~ 5.2 V电流 - 电源1.3mA
工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装
封装/外壳32-QFN 裸露焊盘供应商设备封装32-PLLP(9x9)
包装带卷 (TR)其它名称NIS6111QPT1GOS

“NIS6111QPT1G”技术资料

  • NIS6111QPT1G的技术参数

    产品型号:nis6111qpt1g输入电压vin(v)典型值:0.800输入电压vin(v)最大值:24平均调整正向电流ifav(a):30倒通电阻rds(on)(mω):3.700fet倒通时间(ns):45关断延迟时间(ns):35封装/温度(℃):pllp32/-40~125价格/1片(套):¥43.70 来源:零八我的爱 ...

nis6111qpt1g的相关型号: