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  • NMSD200B01-7

NMSD200B01-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.186
  • 6000$0.174
  • 15000$0.162
  • 30000$0.1536
  • 75000$0.15
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363FET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 50mA,5VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
功率 - 最大200mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)其它名称NMSD200B01DITRNMSD200B01TRNMSD200B01TR-ND

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