| 描述 | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 55A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 189 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11250 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta），250W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【ON Semiconductor】NP1100SAMCT3G,IC TSPD SURGE DEVICE 50A SMB
【ON Semiconductor】NP1100SAT3G,IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB
【ON Semiconductor】NP1100SBMCT3G,IC TSPD SURGE DEVICE 80A SMB
【ON Semiconductor】NP1100SBT3G,IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB
【ON Semiconductor】NP1100SCMCT3G,IC TSPD LOW CAP 100A 110V SMB