| 描述 | MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.3 毫欧 @ 90A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 230nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 14250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D?Pak（6 引线+接片） | 供应商设备封装 | TO-263-7 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NP180N055TUJ-E1-AY-NDNP180N055TUJ-E1-AYTR |
