描述 | ABU / MOSFET | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 21 毫欧 @ 15A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 30nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1500pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1W(Ta),44W(Tc) | 工作温度 | 175°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
供应商器件封装 | 8-HSON(5x5.4) |