描述 | POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N- | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 15A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2250pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1W(Ta),59W(Tc) | 工作温度 | 175°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
供应商器件封装 | 8-HSON(5x5.4) |
【ON Semiconductor】NP3100GARLG,IC THY SURGE PROTECTOR 310V AXL
【ON Semiconductor】NP3100GBRLG,IC THY SURGE PROTECTOR 310V AXL
【ON Semiconductor】NP3100SAMCT3G,IC THY SURGE PROTECTOR 275V SMB
【ON Semiconductor】NP3100SAT3G,IC THY SURGE PROTECTOR 310V SMB
【ON Semiconductor】NP3100SB1,两端交流开关元件 THYRISTOR SURGE PROTECT
【ON Semiconductor】NP3100SBMCT3G,IC TSPD SURGE PROTECT 80A SMB
【ON Semiconductor】NP3100SBT3G,IC THY SURGE PROTECTOR 310V SMB
【ON Semiconductor】NP3100SC1T3G,IC THY SURGE PROTECTOR 310V SMB