| 描述 | MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 16.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线裸焊盘 | 供应商设备封装 | 8-HSON |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NP33N06YDG-E1-AY-NDNP33N06YDG-E1-AYTR |
