描述 | MOSFET N-CH 55V 40A TO-263 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 20A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 41nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1950pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263 |
包装 | 带卷 (TR) |