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  • NP82N06PDG-E1-AY

NP82N06PDG-E1-AY

  • 制造商:-
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$1.848
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 82A TO-263FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C82A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.7 毫欧 @ 41A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs106nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5700pF @ 25V
功率 - 最大1.8W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装TO-263
包装带卷 (TR)

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