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NSBA114EDXV6T1

描述Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP典型电阻器比率1
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-563-6
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V集电极连续电流- 0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散357 mW
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 55 C

“NSBA114EDXV6T1”技术资料

  • NSBA114EDXV6T1的技术参数

    产品型号:nsba114edxv6t1类型:pnp集电极-发射极电压(v):50集电极电流(max)(ma):100直流电流增益(min)(db):35r1(ω):10r2(ω):10芯片上标识:-封装/温度(℃):sot-563/-55~150价格/1片(套):¥.84 来源:零八我的爱 ...

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