| 描述 | SS SOT563 RSTR XSTR TR | 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 100 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 100 千欧 |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300μA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 357mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
【ON Semiconductor】NSBC115TDP6T5G,TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963
【ON Semiconductor】NSBC115TPDP6T5G,TRANS BRT DUAL COMPL SOT-963
【ON Semiconductor】NSBC123EDXV6T1,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
【ON Semiconductor】NSBC123EDXV6T1G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
【ON Semiconductor】NSBC123EDXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual NPN
【ON Semiconductor】NSBC123EDXV6T5G,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual NPN
