您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > nsbc144epdxv6t1g
  • NSBC144EPDXV6T1G

NSBC144EPDXV6T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 12000$0.05888
描述TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300?A,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563包装带卷 (TR)
其它名称NSBC144EPDXV6T1GOSNSBC144EPDXV6T1GOS-NDNSBC144EPDXV6T1GOSTR

nsbc144epdxv6t1g的相关型号: