您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 二极管,整流器 - 阵列 > nsdemn11xv6t1g
  • NSDEMN11XV6T1G

NSDEMN11XV6T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述DIODE SWITCH QUAD CC 80V SOT563电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)100mA(DC)电压 - (Vr)(最大)80V
反向恢复时间(trr)4ns二极管类型标准
速度小信号 =二极管配置2 对共阴极
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563包装剪切带 (CT)
其它名称NSDEMN11XV6T1GOSCT

“NSDEMN11XV6T1G”技术资料

  • NSDEMN11XV6T1G的技术参数

    产品型号:nsdemn11xv6t1g最小反向电压vr(v):80最大反向漏电流ir(?a):0.100正向恢复电压vf最小值(v):-正向恢复电压vf最大值(v):1.200最大二极管电容ct(pf ):3.500反向恢复时间trr(ns):4类型:共阴极,四阵列开关二极管封装/温度(℃):sot563/-55~125价格/1片(套):¥.80 来源:零八我的爱 ...

nsdemn11xv6t1g的相关型号: