| 描述 | TRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 5A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 170mV @ 400mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 250 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大 | 830mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | ChipFET? | 包装 | 带卷 (TR) |
dropout低于0.5v(目的是保持在0.55v的电压裕量内)，我们需要一个rds(on)小于150mω的mosfet(也就是说要求mosfet的压降必须小于0.15v)。 我们可以观察到，肖特基二极管促成了0.35v的极高压降。随着充电电流的增加，这很快会成为一个阻塞点。通过用具有低v ce(sat)的晶体管或者具有低rds(on)的mosfet代替肖特基二极管，从而符合usb充电器标准规定的有限电压裕量，可以降低传输元件上的压降。一些传输元件解决方案如图2所示。 图2：nss12600cf8t1g是一个具有低vce(sat)(0.1v)的晶体管，可以用作充电电路中的传输元件。 除了方便之外，标准化充电器接口还意味着任何带有usb插头的电源都可以连接至新的手机，无论其输出功率是多少。由于usb插头已经变成公共接口，因此它不仅限于用在手机中，而且还可以用于其它便携式电子产品，如便携式dvd。在这种情况下，适配器输出电压将是12v，而不是5v。即使电源适配器被设计成输出电压为5v，如果它的调制设计不当，那么电源适配器可能输出偏差高于规定的5%的电压。为了保护这些过压状态下的便携式终端，m ...
