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  • NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.1426
  • 6000$0.1334
  • 15000$0.1242
  • 30000$0.11776
  • 75000$0.115
描述TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A电压 - 集电极发射极击穿(最大)35V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)310mV @ 20mA,2A电流 - 集电极截止(最大)100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1.5A,1.5V功率 - 最大625mW
频率 - 转换100MHz安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)其它名称NSS35200MR6T1G-ND

“NSS35200MR6T1G”技术资料

  • 安森美 VCE(sat) 双极结晶体管

    v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm ...

  • 安森美推出全新系列高性能VCE(sat)BJT

    mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) ...

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