描述 | TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6 | 晶体管类型 | PNP |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 2A | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 35V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 310mV @ 20mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大) | 100nA |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1.5A,1.5V | 功率 - 最大 | 625mW |
频率 - 转换 | 100MHz | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 | 供应商设备封装 | 6-TSOP |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NSS35200MR6T1G-ND |
v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm ...
mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) ...