| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) 4A 40V Low VCEsat | 最大直流电集电极电流 | 4 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 100 at 1 A at 1.5 V | 配置 | Single Hex Collector |
| 最大工作频率 | 100 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | 1206A |
| 封装 | Reel | 集电极连续电流 | - 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 650 mW |
| 工厂包装数量 | 3000 |
电压后，就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (t ...
中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后，就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) ...
