您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > nst3906dxv6t1g
  • NST3906DXV6T1G

NST3906DXV6T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 12000$0.05888
描述TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)40VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA,1V
功率 - 最大500mW频率 - 转换250MHz
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563包装带卷 (TR)
其它名称NST3906DXV6T1GOSNST3906DXV6T1GOS-NDNST3906DXV6T1GOSTR

nst3906dxv6t1g的相关型号: