描述 | TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
---|---|---|---|
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 700mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 220 @ 2mA,5V |
功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-963 |
供应商设备封装 | SOT-963 | 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NSTB1002DXV5T1,TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
【ON Semiconductor】NSTB1002DXV5T1G,TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
【ON Semiconductor】NSTB1003DXV5T1G,TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
【ON Semiconductor】NSTB1004DXV5T1G,TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
【ON Semiconductor】NSTB1005DXV5T1,Transistors Bipolar (BJT) 100mA Complementary