描述 | TRANSISTOR BRT DUAL NPN SOT-563 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 10k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 300?A,10mA | 电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | SOT-563 | 包装 | 带卷 (TR) |