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  • NTA4151PT1G

NTA4151PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.09
  • 6000$0.085
  • 15000$0.0775
  • 30000$0.0725
  • 75000$0.065
描述MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C760mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 350mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.1nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds156pF @ 5V
功率 - 最大301mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-75,SOT-416供应商设备封装SC-75,SOT-416
包装带卷 (TR)其它名称NTA4151PT1GOSTR

“NTA4151PT1G”技术资料

  • NTA4151PT1G的技术参数

    产品型号:nta4151pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20(min)源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):360最大漏极电流id(on)(a):0.760通道极性:p沟道封装/温度(℃):sc-75/-55 ~150描述:小信号p沟道-20 v, -760 ma mosfet 带esd保护价格/1片(套):¥1.16 来源:xiangxueqin ...

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