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  • NTB13N10

NTB13N10

描述MOSFET N-CH 100V 13A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 6.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
功率 - 最大64.7W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装管件

“NTB13N10”技术资料

  • NTB13N10的技术参数

    产品型号:ntb13n10源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):-最大漏极电流id(on)(a):13通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~175描述:13a,100v功率mosfet价格/1片(套):¥4.80 来源:xiangxueqin ...

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