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  • NTB18N06LT4G

NTB18N06LT4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 15A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 7.5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
功率 - 最大48.4W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称NTB18N06LT4GOSNTB18N06LT4GOS-NDNTB18N06LT4GOSTR

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