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  • NTB25P06G

NTB25P06G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C82 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1680pF @ 25V
功率 - 最大120W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装管件

“NTB25P06G”技术资料

  • NTB25P06G的技术参数

    产品型号:ntb25p06g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):82最大漏极电流id(on)(a):27.500通道极性:p沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:-60 v, -27.5 a功率mosfet价格/1片(套):¥7.40 来源:xiangxueqin ...

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