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  • NTB30N20T4

NTB30N20T4

描述MOSFET 200V 30A N-Channel漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.068 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Reel
下降时间24 ns, 88 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)20 S
最小工作温度- 55 C功率耗散214 W
上升时间20 ns, 70 ns工厂包装数量800
典型关闭延迟时间40 ns, 82 ns

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