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  • NTB60N06

NTB60N06

描述MOSFET 60V 60A N-Channel漏极连续电流60 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.014 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Tube
下降时间142.5 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)35 S
最小工作温度- 55 C功率耗散150 W
上升时间180.7 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间94.5 ns

“NTB60N06”技术资料

  • NTB60N06的技术参数

    产品型号:ntb60n06源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14最大漏极电流id(on)(a):60通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~150描述:60a,60v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥9.99 来源:xiangxueqin ...

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