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NTB65N02RT4

描述MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.2 毫欧 @ 30A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs9.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
功率 - 最大1.04W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称NTB65N02RT4OSTR

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