描述 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 37.5A,5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 75nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5635pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTB75N03L09T4GOS |
产品型号:ntb75n03l09t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8最大漏极电流id(on)(a):75通道极性:n封装/温度(℃):d2pak-3/-55~150描述:35v,75a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...