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  • NTB90N02T4G

NTB90N02T4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 24V 90A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)24V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 90A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2120pF @ 20V
功率 - 最大85W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称NTB90N02T4GOSNTB90N02T4GOS-NDNTB90N02T4GOSTR

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