| 描述 | MOSFET 100V 12A N-Channel | 漏极连续电流 | 12 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.165 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | DPAK | 封装 | Reel |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 7 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 56.6 W | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
产品型号:ntd12n10t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):165最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:12 a, 100 v功率mosfet价格/1片(套):￥4.20 来源:xiangxueqin ...
