| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 65 毫欧 @ 9A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 675pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 55W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 管件 |
产品型号:ntd18n06l源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):54最大漏极电流id(on)(a):18通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:18a,60v功率mosfet价格/1片(套):￥3.30 来源:xiangxueqin ...
