描述 | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 10A,5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18.9nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1260pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.75W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | DPAK-3 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTD20N03L27T4GOSTR |
产品型号:ntd20n03l27t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):27最大漏极电流id(on)(a):20通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:20 a, 30 v功率mosfet价格/1片(套):¥3.72 来源:xiangxueqin ...