您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ntd23n03r-1g
  • NTD23N03R-1G

NTD23N03R-1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs3.76nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds225pF @ 20V
功率 - 最大1.14W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件其它名称NTD23N03R-1GOS

ntd23n03r-1g的相关型号: