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  • NTD24N06L-1G

NTD24N06L-1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 24A IPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 10A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1140pF @ 25V
功率 - 最大1.36W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

“NTD24N06L-1G”技术资料

  • NTD24N06L-1G的技术参数

    产品型号:ntd24n06l-1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):36最大漏极电流id(on)(a):24通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:24a,60v功率mosfet价格/1片(套):¥4.70 来源:xiangxueqin ...

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