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NTD2955

描述MOSFET -60V -12A P-Channel漏极连续电流- 12 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.155 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DPAK封装Tube
下降时间48 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)8 S
最小工作温度- 55 C功率耗散55 W
上升时间45 ns工厂包装数量75
典型关闭延迟时间26 ns

“NTD2955”技术资料

  • NTD2955的技术参数

    产品型号:ntd2955源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:p沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:-0.4a,-20v功率mosfet价格/1片(套):¥3.00 来源:xiangxueqin ...

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