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  • NTD32N06LG

NTD32N06LG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 32A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 16A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装DPAK-3
包装管件

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