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  • NTD4302G

NTD4302G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 24V
功率 - 最大1.04W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装DPAK-3
包装管件其它名称NTD4302G-NDNTD4302GOS

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